Huawei ‘đang phát triển chip 3 nm, trình làng năm sau’

Theo United Daily News, Huawei không thể sử dụng công nghệ quang khắc siêu cực tím (EUV) do lệnh cấm của Mỹ, nhưng đã tìm ra giải pháp riêng từ các đối tác trong nước.

Bộ phận R&D của công ty đang áp dụng hai phương pháp cho chip 3 nm mới. Một là kiến trúc cổng vòm GAA (Gate-All-Around) – tiêu chuẩn đang được TSMC và Samsung sử dụng. Đây là loại cấu trúc bóng bán dẫn tiên tiến, giúp cải thiện hiệu suất, giảm công suất tiêu thụ và nâng cao khả năng mở rộng của các thiết bị điện tử. Trong đó, phần cổng transistor bao quanh hoàn toàn kênh, cho phép kiểm soát tốt hơn dòng điện chạy qua, giúp cải thiện hiệu suất và giảm công suất tiêu thụ.

Phương pháp còn lại được Huawei áp dụng dựa trên công nghệ “ống nano carbon” thay cho chất bán dẫn silicon truyền thống. Ống có cấu trúc hình trụ nhỏ, được tạo thành từ các nguyên tử carbon sắp xếp theo hình lục giác, cho phép electron (hạt tích điện) chạy qua với điện trở tối thiểu, khiến ống nano carbon trở thành chất dẫn điện tốt hơn.

Nguồn tin cho biết, việc phát triển chip 3 nm của Huawei dựa trên công nghệ này hiện đã hoàn tất quá trình xác minh trong phòng thí nghiệm, đang được điều chỉnh để đưa vào dây chuyền sản xuất của SMIC và có mặt trên thị trường năm tới.

Huawei chưa đưa ra bình luận.

Tháng trước, Huawei ra mắt laptop MateBook Fold với màn hình gập lại, có thể sử dụng linh hoạt như một máy tính xách tay hoặc máy tính bảng cỡ lớn. Ngoài tấm nền gập, một trong những điểm thu hút sự chú ý trên sản phẩm là chip Kirin X90 sản xuất trên tiến trình 5 nm, gồm 10 lõi CPU, bố trí theo cấu trúc 4+4+2, hỗ trợ 20 luồng xử lý nhờ công nghệ đa luồng đồng thời (SMT), đạt chứng nhận mã hóa SM3 và SM4 của Trung Quốc.

Thực tế, chip được sản xuất trên tiến trình N+2 (7 nm) của SMIC và công nghệ đóng gói 4 nm của Changdian Technology. Có nghĩa khả năng xử lý thực tế của nó chỉ tương đương chip 7 nm nhưng công nghệ đóng gói tốt hơn, giúp tăng hiệu suất so với chip 7 nm thông thường, dù chưa thể tương đương chip 5 nm của các hãng khác.

Ngoài ra, do chỉ sử dụng máy quang khắc cực tím DUV để khắc đi khắc lại nhiều lần cho đến khi đạt đến 5 nm, sản lượng chip giảm 50%, khiến chi phí sản xuất tăng lên. Mẫu DUV dùng để tạo chip này được cho là SSA800 do Shanghai Micro Electronics (SMEE) sản xuất.

Theo dự đoán của GizChina, chip 3 nm năm tới có thể vẫn sử dụng cách sản xuất giống Kirin X90 bằng cách tận dụng các cỗ máy DUV, nghĩa là sản lượng có thể hạn chế và giá thành cao.

Bảo Lâm (theo GizChina, United Daily News)

Theo United Daily News, Huawei không thể sử dụng công nghệ quang khắc siêu cực tím (EUV) do lệnh cấm của Mỹ, nhưng đã tìm ra giải pháp riêng từ các đối tác trong nước.

Bộ phận R&D của công ty đang áp dụng hai phương pháp cho chip 3 nm mới. Một là kiến trúc cổng vòm GAA (Gate-All-Around) – tiêu chuẩn đang được TSMC và Samsung sử dụng. Đây là loại cấu trúc bóng bán dẫn tiên tiến, giúp cải thiện hiệu suất, giảm công suất tiêu thụ và nâng cao khả năng mở rộng của các thiết bị điện tử. Trong đó, phần cổng transistor bao quanh hoàn toàn kênh, cho phép kiểm soát tốt hơn dòng điện chạy qua, giúp cải thiện hiệu suất và giảm công suất tiêu thụ.

Phương pháp còn lại được Huawei áp dụng dựa trên công nghệ “ống nano carbon” thay cho chất bán dẫn silicon truyền thống. Ống có cấu trúc hình trụ nhỏ, được tạo thành từ các nguyên tử carbon sắp xếp theo hình lục giác, cho phép electron (hạt tích điện) chạy qua với điện trở tối thiểu, khiến ống nano carbon trở thành chất dẫn điện tốt hơn.

Nguồn tin cho biết, việc phát triển chip 3 nm của Huawei dựa trên công nghệ này hiện đã hoàn tất quá trình xác minh trong phòng thí nghiệm, đang được điều chỉnh để đưa vào dây chuyền sản xuất của SMIC và có mặt trên thị trường năm tới.

Huawei chưa đưa ra bình luận.

Tháng trước, Huawei ra mắt laptop MateBook Fold với màn hình gập lại, có thể sử dụng linh hoạt như một máy tính xách tay hoặc máy tính bảng cỡ lớn. Ngoài tấm nền gập, một trong những điểm thu hút sự chú ý trên sản phẩm là chip Kirin X90 sản xuất trên tiến trình 5 nm, gồm 10 lõi CPU, bố trí theo cấu trúc 4+4+2, hỗ trợ 20 luồng xử lý nhờ công nghệ đa luồng đồng thời (SMT), đạt chứng nhận mã hóa SM3 và SM4 của Trung Quốc.

Thực tế, chip được sản xuất trên tiến trình N+2 (7 nm) của SMIC và công nghệ đóng gói 4 nm của Changdian Technology. Có nghĩa khả năng xử lý thực tế của nó chỉ tương đương chip 7 nm nhưng công nghệ đóng gói tốt hơn, giúp tăng hiệu suất so với chip 7 nm thông thường, dù chưa thể tương đương chip 5 nm của các hãng khác.

Ngoài ra, do chỉ sử dụng máy quang khắc cực tím DUV để khắc đi khắc lại nhiều lần cho đến khi đạt đến 5 nm, sản lượng chip giảm 50%, khiến chi phí sản xuất tăng lên. Mẫu DUV dùng để tạo chip này được cho là SSA800 do Shanghai Micro Electronics (SMEE) sản xuất.

Theo dự đoán của GizChina, chip 3 nm năm tới có thể vẫn sử dụng cách sản xuất giống Kirin X90 bằng cách tận dụng các cỗ máy DUV, nghĩa là sản lượng có thể hạn chế và giá thành cao.

Bảo Lâm (theo GizChina, United Daily News)