10 cựu nhân viên và nhà nghiên cứu của Samsung Electronics bị Hàn Quốc truy tố vì cung cấp công nghệ DRAM 10 nm cho một doanh nghiệp Trung Quốc.
Đơn vị Điều tra Tội phạm công nghệ thông tin, thuộc Văn phòng Công tố quận Trung tâm Seoul của Hàn Quốc, hôm 23/12 thông báo bắt giữ và truy tố 5 cá nhân, trong đó có một cựu quan chức thuộc tập đoàn Samsung Electronics, với cáo buộc làm rò rỉ công nghệ cốt lõi của quốc gia. 5 cựu chuyên gia nghiên cứu của Samsung Electronics cũng bị truy tố, nhưng không bị bắt.
Các công tố viên bắt đầu điều tra từ tháng 1/2024, sau khi phát hiện dấu hiệu những công nghệ bán dẫn cốt lõi của Samsung Electronics đã bị tuồn sang Trung Quốc kể từ năm 2016.
RAM DDR4 dùng chip nhớ 10 nm của Samsung. Ảnh: Samsung
Một cựu chuyên gia nghiên cứu của tập đoàn Hàn Quốc bị cáo buộc chuyển “dữ liệu về quy trình sản xuất DRAM 10 nm” bằng cách chép tay lên 12 trang giấy, trước khi chuyển đến làm việc cho công ty bán dẫn Changxin Memory của Trung Quốc hồi tháng 9/2016.
Samsung Electronics đã đầu tư 1.600 tỷ won (1,1 tỷ USD) trong 5 năm để trở thành công ty đầu tiên trên thế giới sở hữu quy trình chế tạo DRAM 10 nm.
Các nghi phạm đã thiết lập nhiều công ty bình phong, thường xuyên chuyển văn phòng và xây dựng hướng dẫn nội bộ với những quy định như “phải luôn hành động như thể đang bị tình báo Hàn Quốc đang giám sát”. Họ còn có bộ quy tắc ứng xử riêng, trong đó có “gửi hình 4 trái tim” để báo động cho đồng nghiệp khi có tình huống khẩn cấp như bị cấm xuất cảnh hoặc bắt giữ.
Công tố viên Hàn Quốc ước tính tổn thất doanh thu của Samsung Electronics sau vụ rò rỉ công nghệ có thể lên tới gần 3,5 tỷ USD chỉ trong năm 2024, trong khi tổng thiệt hại cho nền kinh tế quốc gia có thể lên đến hàng chục tỷ USD.
Giới chức Trung Quốc và CXMT chưa bình luận về thông tin.
Điệp Anh (Theo Chosun)
